တရုတ်နိုင်ငံသိပ္ပံနှင့်နည်းပညာတက္ကသိုလ်ရှိ Suzhou Institute for Advanced Study for Advanced Study မှ သုတေသီ Yang Liang ၏ သုတေသနအဖွဲ့သည် သတ္တုအောက်ဆိုဒ်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းလေဆာမိုက်ခရိုနာနိုထုတ်လုပ်မှုအတွက် နည်းလမ်းသစ်တစ်ရပ်ကို တီထွင်ခဲ့ပြီး ZnO တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာများ၏ လေဆာပုံသဏ္ဍန်များကို submicron တိကျစွာ ပေါင်းစပ်ကာ ပေါင်းစပ်သိရှိနိုင်ခဲ့သည်။ ၎င်းသည် သတ္တုလေဆာဖြင့် ပုံနှိပ်ခြင်းဖြစ်ပြီး၊ diodes၊ triodes၊ memristors နှင့် encryption circuits ကဲ့သို့သော microelectronic အစိတ်အပိုင်းများနှင့် ဆားကစ်များ၏ ပေါင်းစပ်လေဆာတိုက်ရိုက်ရေးသားမှုကို ပထမဆုံးအကြိမ် အတည်ပြုခဲ့ပြီး၊ ထို့ကြောင့် လေဆာမိုက်ခရိုနာနိုလုပ်ဆောင်ခြင်း၏ အပလီကေးရှင်းအခြေအနေများကို မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်နယ်ပယ်သို့ တိုးချဲ့ခဲ့သည်။ ပြောင်းလွယ်ပြင်လွယ် အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၊ အဆင့်မြင့်အာရုံခံကိရိယာများ၊ Intelligent MEMS နှင့် အခြားနယ်ပယ်များတွင် အရေးကြီးသော အသုံးချမှုအလားအလာများရှိသည်။သုတေသနရလဒ်များကို "Laser Printed Microelectronics" ခေါင်းစဉ်အောက်တွင် "Nature Communications" တွင် မကြာသေးမီက ထုတ်ပြန်ခဲ့သည်။
ပုံနှိပ်ထားသော အီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများသည် အီလက်ထရွန်းနစ်ထုတ်ကုန်များ ထုတ်လုပ်ရန် ပုံနှိပ်စက်နည်းများကို အသုံးပြုသည့် ပေါ်ထွန်းလာသော နည်းပညာတစ်ခုဖြစ်သည်။၎င်းသည် မျိုးဆက်သစ် အီလက်ထရွန်နစ်ထုတ်ကုန်များ၏ လိုက်လျောညီထွေမှုနှင့် ပုဂ္ဂိုလ်ရေးသီးသန့်ပြုလုပ်ခြင်း၏ ဝိသေသလက္ခဏာများနှင့် ကိုက်ညီပြီး မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်လုပ်ငန်းအတွက် နည်းပညာဆိုင်ရာ တော်လှန်ရေးအသစ်ကို ယူဆောင်လာမည်ဖြစ်သည်။လွန်ခဲ့သည့် နှစ် 20 ကျော်အတွင်း၊ inkjet ပုံနှိပ်စက်၊ လေဆာဖြင့် ကူးပြောင်းခြင်း (LIFT) သို့မဟုတ် အခြားသော ပုံနှိပ်စက်နည်းပညာများသည် သန့်စင်ခန်းပတ်ဝန်းကျင်ကို မလိုအပ်ဘဲ လုပ်ဆောင်နိုင်သော အော်ဂဲနစ်နှင့် ဇီဝနစ်မဲ့ မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ် စက်ပစ္စည်းများကို တီထွင်ဖန်တီးနိုင်စေရန် ကြီးမားသော ခြေလှမ်းများ ပြုလုပ်ခဲ့သည်။သို့ရာတွင်၊ အထက်ဖော်ပြပါ ပုံနှိပ်စက်နည်းလမ်းများ၏ ပုံမှန်အင်္ဂါရပ်အရွယ်အစားသည် အများအားဖြင့် ဆယ်ဂဏန်းမိုက်ခရိုအစီအစဥ်တွင်ရှိပြီး မကြာခဏဆိုသလို အပူချိန်မြင့်မားစွာလုပ်ဆောင်ပြီးနောက် လုပ်ငန်းစဉ်များ လိုအပ်သည် သို့မဟုတ် လုပ်ဆောင်နိုင်သောကိရိယာများလုပ်ဆောင်ခြင်းအောင်မြင်ရန် လုပ်ငန်းစဉ်များစွာကို ပေါင်းစပ်မှုပေါ်တွင် အားကိုးနေပါသည်။လေဆာမိုက်ခရို-နာနို ပြုပြင်ခြင်းနည်းပညာသည် လေဆာပဲမျိုးစုံနှင့် ပစ္စည်းများကြားတွင် လိုင်းမဟုတ်သော အပြန်အလှန်အကျိုးသက်ရောက်မှုကို အသုံးချကာ ရှုပ်ထွေးသောလုပ်ငန်းဆောင်တာဖွဲ့စည်းပုံများနှင့် ရိုးရာနည်းလမ်းများဖြင့် အောင်မြင်ရန်ခက်ခဲသော တိကျသော <100 nm ဖြင့် ရရှိရန်ခက်ခဲသော စက်ပစ္စည်းများ၏ ပေါင်းစပ်ထုတ်လုပ်ခြင်းကို ရရှိနိုင်သည်။သို့သော်လည်း လက်ရှိလေဆာ မိုက်ခရိုနာနို-ဖန်တီးတည်ဆောက်ပုံအများစုသည် တစ်ခုတည်းပေါ်လီမာပစ္စည်းများ သို့မဟုတ် သတ္တုပစ္စည်းများဖြစ်သည်။ဆီမီးကွန်ဒတ်တာပစ္စည်းများအတွက် လေဆာတိုက်ရိုက်စာရေးနည်းများမရှိခြင်းသည်လည်း လေဆာမိုက်ခရိုနာနိုလုပ်ဆောင်ခြင်းနည်းပညာကို မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်ကိရိယာများ၏နယ်ပယ်သို့ချဲ့ထွင်ရန် ခက်ခဲစေသည်။
ဤစာတမ်းတွင် သုတေသီ Yang Liang သည် ဂျာမနီနှင့် သြစတြေးလျရှိ သုတေသီများနှင့် ပူးပေါင်း၍ လုပ်ငန်းဆိုင်ရာ အီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများအတွက် ပုံနှိပ်နည်းပညာအဖြစ် လေဆာပုံနှိပ်ခြင်းနည်းပညာကို တီထွင်ခဲ့ပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာ (ZnO) နှင့် စပယ်ယာ (Pt နှင့် Ag ကဲ့သို့သော အမျိုးမျိုးသော ပစ္စည်းများ၏ ပေါင်းစပ်လေဆာပုံနှိပ်ခြင်း)၊ (ပုံ 1)၊ နှင့် အပူချိန်မြင့်လွန်မှု လုပ်ငန်းစဉ် အဆင့်များ လုံးဝ မလိုအပ်ဘဲ၊ အနိမ့်ဆုံး အင်္ဂါရပ် အရွယ်အစားမှာ <1 µm ဖြစ်သည်။ဤအောင်မြင်မှုသည် စပယ်ယာများ၊ ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများနှင့် မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်ပစ္စည်းများ၏ လုပ်ဆောင်ချက်များနှင့်အညီ လျှပ်ကာပစ္စည်းများ၏ ဒီဇိုင်းနှင့် ပုံနှိပ်ခြင်းတို့ကို စိတ်ကြိုက်ပြင်ဆင်နိုင်စေသည်၊ ၎င်းသည် မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ်စက်ပစ္စည်းများ၏ တိကျမှု၊ ပျော့ပြောင်းမှုနှင့် ထိန်းချုပ်နိုင်မှုကို ပိုမိုကောင်းမွန်စေသည်။ဤအခြေခံအရ၊ သုတေသနအဖွဲ့သည် diodes၊ memristors နှင့် ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ပြန်လည်မထုတ်လုပ်နိုင်သော ကုဒ်ဝှက်ဆားကစ်များ ပေါင်းစပ်လေဆာတိုက်ရိုက်ရေးသားမှုကို အောင်မြင်စွာ နားလည်သဘောပေါက်ခဲ့သည် (ပုံ 2)။ဤနည်းပညာသည် ရိုးရာ inkjet ပုံနှိပ်စက်နှင့် အခြားနည်းပညာများနှင့် တွဲဖက်အသုံးပြုနိုင်ပြီး အမျိုးမျိုးသော P-type နှင့် N-type semiconductor metal oxide ပစ္စည်းများကို ပုံနှိပ်ခြင်းအထိ တိုးချဲ့လုပ်ဆောင်ရန် မျှော်လင့်ထားပြီး ရှုပ်ထွေးပြီး အကြီးစားလုပ်ဆောင်ခြင်းအတွက် စနစ်ကျသော နည်းလမ်းအသစ်ကို ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ သုံးဖက်မြင် လုပ်ဆောင်နိုင်သော မိုက်ခရိုအီလက်ထရွန်းနစ် ကိရိယာများ။
စာတမ်း:https://www.nature.com/articles/s41467-023-36722-7
စာတိုက်အချိန်- မတ်လ-၀၉-၂၀၂၃